特許
J-GLOBAL ID：200903051140247374
パターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024901
公開番号（公開出願番号）：特開平8-220764
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置製造の基盤加工におけるパターンの形成方法に関し、高解像力、O<SB>2 </SB>-RIE耐性に優れたパターン形成を図る。【構成】 SiO<SB>4-n </SB>(OR)<SB>n </SB>〔Rはアルキル基を表し同一であっても異なっていてもよい、nは0≦n<4の整数を表す〕で表される構造を含む樹脂と酸発生剤とからなる組成物のレジスト膜12を基体11上に形成し、次いでレジスト膜12を露光した後、アルカリ性溶液によって現像し、さらに現像後のレジスト膜12を全面露光した後、加熱処理することでレジスト膜12をSiO<SB>2 </SB>膜に改質して、パターン14を形成する。
請求項（抜粋）：
式【化1】で表される構造を含む樹脂と酸発生剤とからなる組成物のレジスト膜を基体上に形成する第1工程と、前記レジスト膜を露光する第2工程と、前記レジスト膜をアルカリ性溶液によって現像する第3工程と、前記現像したレジスト膜を露光した後、加熱処理を行う第4工程とからなることを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/075 511
, G03F 7/004 503
, G03F 7/26 511
, G03F 7/40 501
, H01L 21/027
G03F 7/075 511
, G03F 7/004 503
, G03F 7/26 511
, G03F 7/40 501
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 562
