特許
J-GLOBAL ID：200903051143258296
半導体受光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092805
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274546
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 製造コスト,遮断周波数及びトレランス特性が向上する半導体受光素子を提供する。【解決手段】 半導体受光素子100において,基板110の第1基板面110a上には,受光部120が形成されている。また,第1基板面110aと対向する基板110の第2基板面110bには,凹部110dが形成されている。かかる凹部110dは,順メサ面が表面に形成される楔形のV字溝状を有しており,第2基板面110bと略垂直な基板110の側方受光面110cと略平行に形成されている。さらに,凹部110dには,表面に全反射膜コーティングが施されている。かかる構成を有する半導体受光素子100において,側方受光面110cから入射された入射光P1は,凹部110dによって反射され,基板110側から受光部120に入射される。結果として,受光部120において入射光P1が感知される。
請求項（抜粋）：
相互に対向する第1基板面と第2基板面とを有し,前記第1基板面と前記第2基板面との間を光が伝搬する基板と,前記基板の第1基板面上に形成され,光を感知する受光部と,前記第2基板面に形成され,前記基板を伝搬する光を前記受光部に向けて反射するリセスとを,備えていることを特徴とする,半導体受光素子。
引用特許：
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