特許
J-GLOBAL ID：200903051145433966

大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス

発明者：
ヴァウド,ロバート,ピー.

ヴァウド,ロバート,ピー. について

, 
スー,シュエピン

スー,シュエピン について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-540022
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519591
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
15cmを超える大面積と、少なくとも1mmの厚さと、5E5cm-2を超えない平均転位密度と、25%未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶III-V族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、(i)たとえばIII-V族窒化物材料の成長表面の少なくとも50%にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、III-V族窒化物材料を基板上に成長させる第1段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも102ピット/cm2である段階と、(ii)ピット充填条件下でIII-V族窒化物材料を成長させる第2段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
請求項（抜粋）：
自身の少なくとも1つの表面が均一な低転位密度である、大面積単結晶III-V族窒化物材料。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  C23C 14/06 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  C23C14/06 A ,  H01S5/323 610 ,  H01L33/00 C
Fターム (61件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029EA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH48 ,  5F173AH49 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ20 ,  5F173AP04 ,  5F173AQ10 ,  5F173AR82
引用特許：
審査官引用 (2件)

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