大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-540022
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519591
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

15cmを超える大面積と、少なくとも1mmの厚さと、5E5cm-2を超えない平均転位密度と、25%未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶III-V族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、(i)たとえばIII-V族窒化物材料の成長表面の少なくとも50%にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、III-V族窒化物材料を基板上に成長させる第1段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも102ピット/cm2である段階と、(ii)ピット充填条件下でIII-V族窒化物材料を成長させる第2段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。

請求項（抜粋）：

自身の少なくとも1つの表面が均一な低転位密度である、大面積単結晶III-V族窒化物材料。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , C23C 16/34 , C23C 14/06 , H01S 5/323 , H01L 33/00

FI (5件)：

C30B29/38 D , C23C16/34 , C23C14/06 A , H01S5/323 610 , H01L33/00 C

Fターム (61件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB09 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TK01 , 4G077TK11 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BB09 , 4K029BC00 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029CA02 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029EA01 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 5F041AA31 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA54 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA77 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AH48 , 5F173AH49 , 5F173AJ13 , 5F173AJ20 , 5F173AP04 , 5F173AQ10 , 5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第6440823号
窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-167986 出願人：パイオニア株式会社

審査官引用 (4件)

特許第6440823号
特許第6440823号
特許第6440823号

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