パターン膜の製造方法、ポジ型感光性組成物及び半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮▲崎▼主税 , 目次誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-206009
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034604
出願日： 2006年07月28日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】露光部の感光性組成物を現像液に十分に溶解させることができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができるパターン膜の製造方法、これに用いるポジ型感光性組成物を提供する。【解決手段】シリコン縮合物(A)と光酸化剤(B)とを含有し、光が照射される前において現像液に不溶なポジ型感光性組成物を用意する工程と、基板上に、ポジ型感光性組成物からなる感光性組成物層1を形成する工程と、感光性組成物層1を選択的に露光し、露光部において光酸化剤(B)の作用によってシリコン縮合物(A)に親水性基を導入し、露光部の感光性組成物層1Aを現像液に可溶にする工程と、露光部の感光性組成物層1Aを現像液に可溶にした後、感光性組成物層1Aを現像液で現像し、パターン膜1Cを得る工程とを備えるパターン膜の製造方法、これに用いる感光性組成物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン縮合物(A)と光酸化剤(B)とを含有し、光が照射される前において現像液に不溶なポジ型感光性組成物を用意する工程と、基板上に、前記ポジ型感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、形成するパターンに応じて前記感光性組成物層を選択的に露光し、露光部において前記光酸化剤(B)の作用によって前記シリコン縮合物(A)に親水性基を導入し、露光部の前記感光性組成物層を現像液に可溶にする工程と、露光部の感光性組成物層を現像液に可溶にした後、前記感光性組成物層を現像液で現像し、パターン膜を得る工程とを備えることを特徴とする、パターン膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 , G03F 7/075 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L21/312 D , G03F7/075 511 , H01L21/30 502R , H01L21/312 C

Fターム (18件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC07 , 5F058AD05 , 5F058AD08 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02 , 5F058AH03 , 5F058BD19

引用特許：

出願人引用 (1件)

感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-296954 出願人：東レ株式会社

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