特許

J-GLOBAL ID：200903051159278025

電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに投写型表示装置、電子機器

発明者： 平林 幸哉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-044842
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243416
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 遮光層を用いることで耐光性に優れるとともに、この遮光層の酸化による遮光性能の低下を防止でき、また遮光層による半導体層へのコンタミネーションを防止することができる電気光学装置を歩留まり良く製造できる製造方法及び電気光学装置を提供する。【解決手段】 本発明の電気光学装置は、支持基板201と、この支持基板上に形成され、所定の形状にパターニングされた遮光層211と、この遮光層211を覆うように形成された酸化シリコン膜からなる絶縁体層212と、この絶縁体層212上に形成された単結晶シリコン層(半導体層)206とを備えて構成されており、単結晶シリコン層206に含まれるピンホール206aは、窒化シリコン材(耐酸化性材料)208により封止されている。

請求項（抜粋）：

支持基板上に半導体層を備えた半導体基板を貼り合わせてなる複合基板を用いた電気光学装置の製造方法であって、支持基板の一側の面に遮光層を形成する工程と、前記遮光層をパターニングする工程と、前記パターニングされた遮光層上に、絶縁体層を形成する工程と、前記絶縁体層を平坦化する工程と、前記絶縁体層上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に耐酸化性被膜を成膜する工程と、前記半導体層上の耐酸化性被膜を除去して前記半導体層を露出させる工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/13357 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (10件)：

G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/13357 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 619 B

Fターム (77件)：

2H088EA12 ,  2H088HA02 ,  2H088HA08 ,  2H088HA21 ,  2H088HA24 ,  2H088HA28 ,  2H088JA05 ,  2H088MA04 ,  2H088MA06 ,  2H090JB02 ,  2H090JB04 ,  2H090JC11 ,  2H090KA05 ,  2H091FA14Y ,  2H091FA26X ,  2H091FA34Y ,  2H091FA41Z ,  2H091GA01 ,  2H091GA02 ,  2H091GA13 ,  2H091LA17 ,  2H091LA18 ,  2H091MA07 ,  2H092JA23 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA46 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB61 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB22 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092NA01 ,  5F110AA18 ,  5F110AA21 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE09 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HL07 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN53 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-148326   出願人：カシオ計算機株式会社