特許
J-GLOBAL ID：200903051183134689
極薄軟質銅箔の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥村 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276157
公開番号（公開出願番号）：特開平7-109552
出願日： 1993年10月06日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 高い引張強さ及び高い伸びを保持する極薄軟質銅箔の製造方法を提供する。【構成】 タフピッチ銅又は無酸素銅の鋳塊を準備する。この鋳塊に、熱間圧延,冷間圧延及び中間焼鈍を施して銅板を得る。最後の中間焼鈍を終えたのち、冷間圧延を再び施し、次いで仕上焼鈍を施す。この際の冷間圧延による冷間加工度は、95%以下である。冷間加工度(%)は、次の式で定義されるものである。即ち、最後の中間焼鈍後における銅板の厚さをt0とし、冷間圧延工程を終えた銅箔の厚さをt1としたとき、[(t0-t1)/t0]×100で定義されるものである。仕上焼鈍温度(T°C)は、再結晶温度≦T°C≦(再結晶温度+80°C)の温度で行われる。再結晶温度と、加熱時間を30分としたとき、再結晶の完了する加熱温度のことである。このようにして得られた、厚さ10μm以下の極薄軟質銅箔は、高い引張強さと高い伸びを有する。
請求項（抜粋）：
タフピッチ銅又は無酸素銅の鋳塊に、熱間圧延,冷間圧延及び中間焼鈍,仕上焼鈍を施して、厚さ10μm以下の極薄軟質銅箔を製造する方法において、最後の中間焼鈍と仕上焼鈍との間において施される冷間圧延による冷間加工度が95%以下であり、且つ仕上焼鈍温度(T°C)が、再結晶温度≦T°C≦(再結晶温度+80°C)であることを特徴とする極薄軟質銅箔の製造方法。
引用特許：
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