特許
J-GLOBAL ID:200903051188375943
はんだ接合層
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川和 高穂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-089141
公開番号(公開出願番号):特開2003-286531
出願日: 2002年03月27日
公開日(公表日): 2003年10月10日
要約:
【要約】【課題】 クリープ変形に対する抵抗力の大きいはんだ接合層を開発する。【解決手段】 Snを含有するはんだ用いて部材を接合する際に形成される接合層であって、前記接合層はSnおよびAuの他に、Pb,Cu、Ag、Bi、Zn、Niから選択されるいずれか1種又は2種以上を含有し、さらに、前記接合層にはSnとAuを主成分として構成される金属間化合物が接合断面の面積分率として5〜50%の割合で分散しているはんだ接合層である。また、二個以上の部材を接合する際に、少なくとも一個以上の部材の表面をAuからなる層とし、一個以上の前記部材にはんだを載置し、前記はんだを加熱して前記Auをはんだ中に溶解させて得た,前記はんだ接合層を備えた接合部材である。
請求項(抜粋):
Snを含有するはんだ用いて部材を接合する際に形成される接合層であって、前記接合層はSnおよびAuの他に、Pb,Cu、Ag、Bi、Zn、Niから選択されるいずれか1種又は2種以上を含有し、さらに、前記接合層にはSnとAuを主成分として構成される金属間化合物が接合断面の面積分率として5〜50%の割合で分散していることを特徴とするはんだ接合層。
IPC (7件):
C22C 13/00
, B23K 1/20
, H05K 3/34 512
, B23K 35/26 310
, B23K 35/26
, C22C 12/00
, C22C 13/02
FI (7件):
C22C 13/00
, B23K 1/20 Z
, H05K 3/34 512 C
, B23K 35/26 310 A
, B23K 35/26 310 C
, C22C 12/00
, C22C 13/02
Fターム (3件):
5E319AC01
, 5E319CC22
, 5E319GG20
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平3-066492
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電子回路及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-344821
出願人:富士通株式会社
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光モジュールパッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-276540
出願人:古河電気工業株式会社
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