半導体集積回路装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-037398
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179949
出願日： 2006年02月15日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】微細化されたMISFETのしきい値電圧のばらつきを低減する。【解決手段】MISFET(Q1)のゲート電極9aは、素子分離溝2によって周囲を規定されたアクティブ領域Lの基板1上に形成され、アクティブ領域Lを横切ってその一端から他端に延在している。このゲート電極9aは、アクティブ領域Lと素子分離溝2との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Lの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてH形の平面パターンで構成されている。また、このゲート電極9aは、アクティブ領域Lと素子分離溝2との境界領域のゲート長方向に沿った一辺の全体とゲート幅方向に沿った二辺の一部とを覆っている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

素子分離領域によって周囲を規定された第1アクティブ領域の基板に第1MISFETが形成され、前記素子分離領域によって周囲を規定された第2アクティブ領域の基板に第2MISFETが形成された半導体集積回路装置であって、前記第1アクティブ領域の基板上には、前記第1アクティブ領域を横切ってその一端から他端に延在する前記第1MISFETの第1ゲート電極が形成されており、前記第2アクティブ領域の基板上には、前記第2アクティブ領域を横切ってその一端から他端に延在する前記第2MISFETの第2ゲート電極が形成されており、前記第1アクティブ領域と前記素子分離領域との第1境界領域における前記第1ゲート電極のゲート長方向の長さは、前記第1ゲート電極のゲート長方向の長さよりも大きく、前記第1境界領域における前記第1ゲート電極のゲート長方向の長さは、前記第2アクティブ領域と前記素子分離領域との第2境界領域における前記第2ゲート電極のゲート長方向の長さよりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (9件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/11 , H01L 21/824 , H01L 27/10 , H01L 27/08 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (11件)：

H01L27/08 102C , H01L27/10 381 , H01L27/10 481 , H01L27/08 102B , H01L27/08 331A , H01L27/08 311 , H01L27/08 321D , H01L27/08 321E , H01L29/78 301G , H01L29/78 301L , H01L29/78 301R

Fターム (75件)：

5F048AA00 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AB06 , 5F048AB07 , 5F048AB08 , 5F048AC01 , 5F048AC02 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F083BS05 , 5F083BS17 , 5F083BS27 , 5F083GA11 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA07 , 5F083LA10 , 5F083NA01 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F140AA06 , 5F140AB02 , 5F140AB03 , 5F140AC02 , 5F140AC32 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BB06 , 5F140BC06 , 5F140BC17 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF51 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BH15 , 5F140BH35 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその設計方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-170805 出願人：株式会社日立製作所
電界効果トランジスタ、移相マスクおよび製作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-173709 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

審査官引用 (3件)

電界効果トランジスタ、移相マスクおよび製作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-173709 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227397 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-299622 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社

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