特許

J-GLOBAL ID：200903051215025224

抵抗変化材料の初期化方法、抵抗変化材料を用いた記憶素子、可変抵抗体を用いた不揮発性メモリ回路を初期化する方法

発明者： 村岡 俊作 ,  小佐野 浩一 ,  高橋 健 ,  下田代 雅文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-520488
公開番号（公開出願番号）：特表2007-515026
出願日： 2004年12月16日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【解決手段】本発明による初期化方法は、与えられる電気的パルスの極性に応じてその抵抗値が増加/減少する材料(抵抗変化材料)(2)を初期化する方法であって、抵抗変化材料(2)に接続された第1および第2の電極(1,3)間に、第1の電極の電位のほうが第2の電極の電位よりも高い第1の極性の電気的パルスを少なくとも1回加えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

与えられる電気的パルスの極性に応じてその抵抗値が増加/減少する材料(抵抗変化材料)を初期化する方法であって、 前記抵抗変化材料に接続された第1および第2の電極間に、第1の電極の電位のほうが第2の電極の電位よりも高い第1の極性の電気的パルスを少なくとも1回加える、 ことを特徴とする初期化方法。

IPC (1件)：

G11C 13/00

FI (1件)：

G11C13/00 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-600308   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 特許第6473332号