特許

J-GLOBAL ID：200903051273412254

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 五十嵐 元繁
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012560
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214683
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 MOS構造の半導体装置において、ゲート電極をイオン注入のチャネリングに対して強い構造とする。【解決手段】 半導体基板上でゲート絶縁膜の上に半導体材料を堆積してゲート電極を形成する。このゲート電極の表面または内部に非晶質層を形成する。その後、ゲートサイドウォールを形成し、ゲート電極およびサイドウォールをマスクとして半導体基板に不純物をイオン注入し、ソース/ドレインを形成する。非晶質層としては、窒素を1×1020〜1×1022/cm3個含む層を形成する。これを、熱処理に対する不純物析出抑制層とし、イオン注入に対するチャネリング防止層とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、このゲート絶縁膜の上に半導体材料を堆積してゲート電極を形成する工程と、このゲート電極の表面または内部に非晶質層を形成する工程と、上記ゲート電極にサイドウォールを形成する工程と、上記ゲート電極および上記サイドウォールをマスクとして上記半導体基板に不純物をイオン注入する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-287929
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044173   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-287929
  
• 特開平4-025176