磁気支持機構、位置決め装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-100701
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284438
出願日： 2000年04月03日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】磁気浮上機構において、磁気浮上力のギャップ依存性を小さくし、かつ浮上力の非線形性に起因する剛性の変化を小さくする。【解決手段】第一の磁気手段と該第二の磁気手段との間に働く磁気的な力により、固定部に対して浮上部を非接触で浮上させる磁気浮上機構において、空隙の幅の増減に起因する、第一の磁気手段または第二の磁気手段を経由しない漏れ磁束の増加、または、空隙中の磁気回路に沿う磁束の長さの増減を抑制する。

請求項（抜粋）：

所定の空隙を介して互いに相対移動可能な固定部と浮上部の一方に第一の磁気手段が配置されていて、他の一方に第二の磁気手段が配置されていて、該第一の磁気手段と該第二の磁気手段との間に働く磁気的な力により、固定部に対して浮上部を非接触で浮上させる磁気支持機構において、前記空隙の幅の増加に起因する、前記第一の磁気手段または第二の磁気手段を経由しない漏れ磁束の増加を抑制する構成であることを特徴とする磁気支持機構。

IPC (3件)：

H01L 21/68 , F16F 15/03 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/68 K , F16F 15/03 A , H01L 21/30 502 G , H01L 21/30 503 A

Fターム (12件)：

3J048AA07 , 3J048AC08 , 3J048BE09 , 3J048DA03 , 3J048EA13 , 5F031CA02 , 5F031LA04 , 5F031LA07 , 5F031MA27 , 5F046AA28 , 5F046CC01 , 5F046CC19

引用特許：

審査官引用 (6件)

除振装置、これを用いた露光装置およびデバイス製造方法、ならびに除振方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-095893 出願人：キヤノン株式会社
露光用基板、露光方法および露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-251235 出願人：株式会社ニコン
特開平4-080940

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