特許

J-GLOBAL ID：200903051284658352

半導体製造プロセスの光近接効果補正方法

発明者： 東内 圭一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-328080
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147744
出願日： 1998年11月18日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】修正量が適正であり、且つ、パターン修正処理時間の著しい増大を招かない。【解決手段】第1層2の周囲を囲む第1周域34を指定するためのステップと、第1周域34に属する第2層1のコーナー部分7,7’,8,8’を発見するためのステップと、コーナー部分7,7’,8,8’の周囲を囲む第2周域13,13’,14,14’,41,44を設定するためのステップと、第2周域13,13’,14,14’,41,44を第1層2に付加する補正領域とするためのステップとからなるり、第1層が存在しない所の第2層の補正が行われないので、近接効果補正のデータ処理の増大が抑制される。

請求項（抜粋）：

第1層の周囲を囲む第1周域を指定するためのステップと、前記第1周域に属する第2層のコーナー部分を発見するためのステップと、前記コーナー部分の周囲を囲む第2周域を設定するためのステップと、前記第2周域を第1層に付加する補正領域とするためのステップとからなる半導体製造プロセスの光近接効果補正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/88 Z

Fターム (4件)：

2H095BB01 ,  5F033QQ01 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-041209   出願人：凸版印刷株式会社