特許
J-GLOBAL ID：200903034419993546
フォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041209
公開番号（公開出願番号）：特開平10-239826
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 論理回路のデザインルールを満たした設計をすることができるとともに、微細加工精度が向上した光近接効果補正パターンを含むフォトマスクパターンを簡易に得ることができるフォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法を得ること。【解決手段】 本発明は、通常のフォトマスクハ ゚ターンにおける最適化すべきフォトマスクパターン部分を抽出するための条件たるハ ゚ターンテ ゙サ ゙インルールの入力に用いられるパターン条件入力部2と、ハ ゚ターンテ ゙サ ゙インルールに適合しない光近接効果補正すべき光近接効果補正前パターンセルを抽出するパターン抽出部7と、最適化前パターンセルに対して複数回に亘って繰り返し光強度シミュレーションを実行する光強度シミュレーション部9と、上記複数のシミュレーション結果に基づいて光近接効果補正前パターンセルを最適化するパターン最適化部10とを有している。
請求項（抜粋）：
フォトマスクパターンにおいて光近接効果補正をすべきパターンセルを、所定の条件に基づいて抽出するパターンセル抽出手段と、前記パターンセル抽出手段により抽出された前記パターンセルに対して光強度シミュレーションを行い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算により求めた結果に基づいて、前記パターンセルを微細加工用に最適化しこれを最適化パターンセルとして出力する最適化手段と、を具備することを特徴とするフォトマスクパターン設計装置。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/02
G03F 1/08 A
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/30 502 P
