特許

J-GLOBAL ID：200903051286305481

強誘電体メモリ装置

発明者： 小池 洋紀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-168939
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016377
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】強誘電体キャパシタの特性ばらつきに強い強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】2つのダミーメモリセルのキャパシタDFC21,DFC41を用い、キャパシタDFC21は強誘電体キャパシタで常に”0”に相当する電圧を出力し、キャパシタDFC41でセンスアンプの感度分の電圧を出力し、これをリファレンス電圧発生回路DC1のリファレンス電圧とする。

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタと、強誘電体材料を絶縁体膜として用いた強誘電体キャパシタとからなり、前記強誘電体キャパシタの自発分極の方向を記憶情報に対応させて記憶動作が行われるメモリセルと、前記メモリセルの強誘電体キャパシタの自発分極の方向を反転した状態と非反転状態の2つの状態における電荷量の差を判別して、前記メモリセルからの信号電圧の読み出しを行うセンスアンプ回路と、前記反転状態と非反転状態の2つの状態における電荷量の差を判別するためのリファレンス電圧を発生するリファレンス電圧発生手段と、を有し、前記リファレンス電圧発生手段は、前記メモリセルの強誘電体キャパシタの自発分極の方向が非反転状態のときの該メモリセルに記憶された信号電荷によって得られる信号電圧に、前記センスアンプ回路による該メモリセルからの信号電圧の読み出しが可能な最小の電圧を上回る電圧を加えた電圧を、前記リファレンス電圧として発生することを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (8件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-097496
  
• 強誘電体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016117   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-154809   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 特開平3-283079