特許
J-GLOBAL ID:200903051287420462

反応性スパッタ装置および反応性スパッタ方法ならびに反応性蒸着装置および反応性蒸着方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-099952
公開番号(公開出願番号):特開平8-269710
出願日: 1995年03月31日
公開日(公表日): 1996年10月15日
要約:
【要約】【目的】 反応性スパッタ法および反応性蒸着法において、多数の基板表面に同時に成膜する場合や大面積の基板に成膜する場合に、膜の厚さ方向における組成変動を軽減する。【構成】 複数の基板1を保持した基板ホルダ53を回転させながらスパッタする装置、大面積の基板をターゲット直上で平行移動させながらスパッタする装置、または、大面積の基板を蒸着源直上で平行移動させながら蒸着する装置において、基板の表面を覆うマスク手段63を設け、かつ、このマスク手段のターゲット51や蒸着源と向き合う位置付近に開口部を設ける。反応ガスとして、活性種が基板上に固体として堆積し得るものを用いたとき、マスク手段63で覆われた基板1表面では反応ガス活性種の堆積が抑えられ、マスク手段63の開口部付近では基板1表面にスパッタ膜や蒸着膜が形成される。
請求項(抜粋):
スパッタ時に複数の基板を表面に保持した基板ホルダが回転することにより、各基板表面が周期的にターゲットと向き合う構成であり、基板ホルダ表面の近傍に、複数の基板の表面を覆うマスク手段を有し、このマスク手段が、ターゲットと向き合う位置付近に開口部を有する反応性スパッタ装置。
IPC (3件):
C23C 14/34 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/50
FI (3件):
C23C 14/34 T ,  C23C 14/04 A ,  C23C 14/50 G
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平3-166777
  • 特開昭64-000263
  • スパツタ法による成膜方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-011945   出願人:セントラル硝子株式会社
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