特許
J-GLOBAL ID：200903051301437055
原子層成長プロセスのための処理チャンバ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
川口 義雄
, 小野 誠
, 渡邉 千尋
, 金山 賢教
, 大崎 勝真
, 坪倉 道明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272499
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027791
出願日： 2006年10月04日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】ALD技術の現在の制限を効率的に解決および解消して、ALDシステムを商業上実現可能にするシステムアプローチを教示する。【解決手段】標準的なクラスタツール1100に適用可能な処理ステーション1201が、ヒータプレート1303を含むウェーハ支持表面1307をもつ垂直移動可能なペデスタル1215を備える。下部位置では、処理ステーション1201との間でウェーハ1219が搬送されることができ、上部位置で、ペデスタル1215は、処理チャンバ1204にある下部円形開口とともに環状排気通路を形成する。処理チャンバ1204の下部開口にある取り替え可能なリング1253により、プロセス排気速度を異なるプロセスに合わせることができる。ペデスタル1215は、ペデスタル1215の周辺に環状排気通路を規定する周囲側板1257も備える。【選択図】図11D
請求項（抜粋）：
第1の断面積を有する下縁を備えた処理チャンバ部分と、
処理チャンバ部分の下に位置され、第1の断面積よりも大きい真空排気ポート、基板搬送ポート、および処理チャンバの円形下縁の下に位置する第2の断面積を備えるベースチャンバ部分と、
第1の断面積よりも小さい第3の断面積をもつ上側基板支持表面を備え、垂直方向の並進移動を可能にするダイナミック真空シールにより、基板搬送ポートの下でベースチャンバ部分に適用された基板支持ペデスタルと、
処理チャンバの円形下縁と実質的に同一平面の処理位置か、または排気ポートの上方であり基板搬送ポートの下方であるベースチャンバ部分内の下側搬送位置に、上側支持表面を位置させるように、基板支持ペデスタルを並進移動するように適用された垂直並進移動ドライブシステムと、
処理チャンバに取り付けられ、原子層成長(ALD)プロトコルによりガスを供給する取り外し可能なガス供給リッドとを具備し、
基板支持ペデスタルが処理位置にあるときに、基板支持ペデスタルの断面積と、より大きい第1の断面積とが、処理チャンバ部分から真空排気ポートを介した第1の制限された排気速度を決定する第1の全有効面積を有する第1の排気通路を形成し、また、基板支持ペデスタルが下方搬送位置にあるときに、基板支持ペデスタルの断面積と、より大きい第2の断面積とが、第1の有効面積よりも大きな第2の有効面積をもつ第2の環状排気通路を形成して、処理チャンバからの第2の排気速度を第1の制限された排気速度よりも速くすることが可能である、クラスタツールシステムのためのALD処理ステーション。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/46
H01L21/205
, C23C16/44 B
, C23C16/46
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030GA04
, 4K030GA12
, 4K030HA01
, 4K030KA08
, 4K030KA23
, 4K030LA15
, 5F045AA15
, 5F045BB08
, 5F045DP04
, 5F045DQ10
, 5F045DQ17
, 5F045EC01
