窒化物半導体発光素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-261919
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107384
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【目的】酸化物基板の上に成長された窒化物半導体よりなる発光チップが、ヒートシンク、リードフレームのような支持体にフェースアップでダイボンディングされた発光素子を実現するに際し、チップの接着性が大きく、かつ放熱性の高い発光素子を提供する。【構成】第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側に電気陰性度が2.0未満の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、導電性の接着剤を介して、支持体にダイボンディングされていることにより、発光チップが強固に接着されている。

請求項（抜粋）：

第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側に電気陰性度が2.0未満の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、導電性の接着剤を介して、支持体にダイボンディングされてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (11件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社
特開昭63-263733
特開昭59-107527

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