半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176367
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021334
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】誘電体素子において、誘電体と電極の界面における相互反応、あるいは製造工程におけるNa等の不純物の混入や熱処理工程での水素の拡散による誘電体素子の劣化が生じることなく、素子の信頼性を向上させる。【構成】誘電体103が上下の電極106,102によって挟まれた構造を有する誘電体素子が能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置に於て、前記上下電極の少なくとも一方の電極と前記誘電体との間に反応防止膜104が挿入された構造を有し、また前記反応防止膜が、二酸化珪素あるいはリンドープ二酸化珪素であり、上部電極材料の主成分が、アルミニウムであることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

誘電体が上下の電極によって挟まれた構造を有する誘電体素子が能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置に於て、前記上下電極の少なくとも一方の電極と前記誘電体との間に反応防止膜が挿入された構造を有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭63-038248
特開昭63-038248
特開平3-212969

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