特許

J-GLOBAL ID：200903051315766019

パターン形成方法

発明者： 重松 正人
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-376807
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142339
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【目的】 本発明は、特に波長157nmのF2リソグラフィあるいは波長193nmのArFリソグラフィにおいて、フッティングのようなレジスト形状が異形状となる現象を回避し、かつ、微細なパターンを寸法精度よく形成することができる方法を実現することを目的とする。【構成】 シリコン基板に堆積した被エッチング膜上に、高いエッチングレートを持った有機反射防止膜をスピンコーティング法などにより形成する。その後、緻密でエッチングレートの低い有機反射防止膜を同様にして形成する。下層の有機反射防止膜によって全体のエッチング時間を抑えることができる。また、上層の有機反射防止膜の作用によって、レジストからの酸拡散を防止し、フッティングのないレジストパターニング形状を得ることが可能になる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板上に第一の有機反射防止膜を形成する工程と、前記第一の有機反射防止膜上に第二の有機反射防止膜を形成する工程と、前記第二の有機反射防止膜上にフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層に単一波長の光源を用いてフォトマスク上のパターンを転写する工程と、前記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、前記反射防止膜と前記基板をエッチングして所望のパターンを形成する工程を有する微細パターン形成方法であって、 前記第二の有機反射防止膜材料として、前記第一の有機反射防止膜材料よりエッチングレートが遅い材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F7/11 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01L21/30 574 ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/302 105A

Fターム (18件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CB41 ,  2H025DA34 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  5F004AA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07 ,  5F004DB23 ,  5F004EA22 ,  5F046PA07 ,  5F046PA13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 反射防止膜およびレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288131   出願人：日本合成ゴム株式会社