半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-182776
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031484
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウエハ上に、モリブデンからなるゲート電極5を形成した後に、400〜500°Cの条件で低温常圧CVD法を行い、シリコン酸化膜7を形成する。次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜7を介すると共に、ゲート電極5およびサイドウォール6を注入マスクとして、pウェルの全面にイオン注入をし、pウエルにn+ 拡散層12、13を形成する。このように、400〜500°Cの低温の常圧CVD法によって、ソース、ドレイン領域形成のためのイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜7を形成するので、シリコン酸化膜7の形成時にゲート電極5を構成するモリブデンが酸化または昇華せず、ゲート電極5の損傷や剥離を防止できる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属材料を含むゲート電極を形成する工程と、上記ゲート電極の形成後に、500°C以下の温度でCVD法によって上記半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、上記ゲート電極を注入マスクとしてソース領域およびドレイン領域に上記シリコン酸化膜を介してイオン注入法によって高濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (2件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 301L

Fターム (25件)：

5F140AA00 , 5F140AA27 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG18 , 5F140BG20 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CC13 , 5F140CC14

引用特許：

審査官引用 (5件)

MOS型半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-021005 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-266984 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-175476

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