特許

J-GLOBAL ID：200903051340821610

プラズマ処理装置

発明者： 岡 信介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 萩原 康司 ,  金本 哲男 ,  亀谷 美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-065828
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253312
出願日： 2005年03月09日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】誘電体,誘電体を支持する支持部材,支持部材と誘電体との間をシールするOリングなどの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理室内において載置台に載置された基板の上方に誘電体を配置し,該誘電体の下面にマイクロ波を伝播させることにより,処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化させて,基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において,誘電体22の下面周縁部を支持する支持部材45を設け,誘電体22の下面周縁部に導電層43を設けた。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

処理室内において載置台に載置された基板の上方に誘電体を配置し,該誘電体の下面にマイクロ波を伝播させることにより,処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化させて,基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって, 前記誘電体の下面周縁部を支持する支持部材を設け, 前記誘電体の下面周縁部に導電層を設けたことを特徴とする,プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B

Fターム (21件)：

4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA18 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045BB20 ,  5F045DP03 ,  5F045EB10 ,  5F045EH03 ,  5F045EH06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-270987   出願人：株式会社液晶先端技術開発センター
• スロットアレイアンテナおよびプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-314623   出願人：東京エレクトロン株式会社, 安藤真, 高橋応明

審査官引用 (2件)

• 特開平4-048596
  
• プラズマプロセス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-000038   出願人：シャープ株式会社, 大見忠弘