特許

J-GLOBAL ID：200903051344314267

高信頼性絶縁膜およびそれを用いた半導体装置

発明者： 牛尾 二郎 ,  丸泉 琢也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346454
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174011
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】酸窒化処理された酸化膜より絶縁信頼性のすぐれた絶縁膜、とくに絶縁破壊注入電荷量が大きく、経時絶縁破壊特性やホットキャリア耐性などの絶縁特性のすぐれた絶縁膜を提供する。【解決手段】酸化膜12中にリンあるいはヒ素の高濃度層14を形成し、注入電荷により発生した正孔をリンあるいはヒ素を含む層14に蓄積させて注入電荷の絶縁膜との衝突エネルギを低減し、絶縁膜の破壊を減少させる。

請求項（抜粋）：

窒素以外の第5族元素を含むシリコン酸化物あるいは窒素以外の第5族元素を含むシリコン酸窒化物からなる高信頼性絶縁膜。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (14件)：

5F040DA00 ,  5F040DA19 ,  5F040DC01 ,  5F040EK01 ,  5F040FC00 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BF29 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10