半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-019073
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182109
出願日： 2008年01月30日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：

【課題】ゲルマニウム層に浅いn型不純物拡散領域を形成可能とした半導体装置を提供する。【解決手段】ゲルマニウムを主成分とするp型半導体と、前記p型半導体の表面に選択的に設けられた一対のn型不純物拡散領域と、前記一対のn型不純物拡散領域により挟まれた前記p型半導体の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記n型不純物拡散領域の少なくとも一部は、シリコン及び炭素から選択された少なくともいずれかの添加元素を含有していることを特徴とする半導体装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲルマニウムを主成分とするp型半導体と、前記p型半導体の表面に選択的に設けられた一対のn型不純物拡散領域と、前記一対のn型不純物拡散領域により挟まれた前記p型半導体の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記n型不純物拡散領域の少なくとも一部は、シリコン及び炭素から選択された少なくともいずれかの添加元素を含有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/265

FI (5件)：

H01L29/78 301B , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L21/265 W

Fターム (77件)：

4M104AA02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB18 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD33 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD50 , 4M104DD63 , 4M104DD66 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F140AA13 , 5F140AA21 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA17 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF24 , 5F140BF28 , 5F140BG08 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG54 , 5F140BH07 , 5F140BH14 , 5F140BH22 , 5F140BH27 , 5F140BH49 , 5F140BK02 , 5F140BK09 , 5F140BK10 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK15 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-292950 出願人：株式会社東芝

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