特許
J-GLOBAL ID：200903098497177141
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292950
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110586
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 ゲルマニウム中あるいはゲルマニウム含有量が20%以上のシリコンゲルマニウム中に低抵抗のn型拡散領域を有する半導体装置を製造する。【解決手段】 基板上にゲルマニウム層を形成し、このゲルマニウム層の所定の位置に、Sb(アンチモン)を注入ドーズが1014cm-2 以上、1016cm-2 以下でイオン注入する。ゲルマニウム層上に絶縁層を形成し、ゲルマニウム層および絶縁層を550°C〜1000°Cで熱処理して、ゲルマニウム層の所定の位置にn型拡散領域を形成する。絶縁層に、n型拡散領域に到達するコンタクトを形成する。このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が1014cm-2 以上、1016cm-2 以下であり、その抵抗値が5Ω/cm2から100Ω/cm2の範囲にあるn型不純物拡散領域を有する。
請求項（抜粋）：
基板上に、ゲルマニウム層またはゲルマニウムを含有する半導体層を形成するステップと、前記ゲルマニウム層またはゲルマニウム含有半導体層を非晶質状態にして、n型不純物を導入するステップと、前記ゲルマニウム層またはゲルマニウム含有半導体層を非晶質状態から結晶回復させることによって、n型の不純物拡散領域を形成するステップと、前記n型不純物拡散領域に到達するコンタクトを形成するステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/265 F
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 S
5F040DC01
, 5F040EB12
, 5F040EC07
, 5F040EE06
, 5F040EF02
, 5F040EF14
, 5F040EH02
, 5F040EJ02
, 5F040EJ03
, 5F040EK01
, 5F040EK05
, 5F040EL02
, 5F040FA07
, 5F040FB02
, 5F040FC19
