特許
J-GLOBAL ID：200903051408443325
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214574
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067820
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 全体の小型化及びコストの低減を実現すると共に、動作信頼性の向上を図る。【解決手段】 センサ出力の処理回路が設けられた回路チップ10には、バンプ電極11及びこれを包囲するように位置された矩形枠状の封止用バンプ12などがSn-Pb系のはんだにより形成される。梁構造体を含むセンシング部5を備えたセンサチップ1には、バンプ電極11と熱圧着接合される電極パッド8及び封止用バンプ12と熱圧着接合される接合用パッド9が形成されており、このセンサチップ1を回路チップ10上にフェースダウン接合した状態では、封止用バンプ12によってセンシング部5を収納した状態の気密空間13が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板(2)の一方の面に力学量の作用に応じて変位する構造体を含むセンシング部(5)を設けて成るセンサチップ(1)を備えた半導体装置において、前記センサチップ(1)からのセンサ出力の処理回路が形成され、当該センサチップ(1)のセンシング部(5)側の面が、そのセンシング部(5)及び前記処理回路間を電気的に接続するためのバンプ電極(11)を介してフェースダウン接合される半導体材料製の回路チップ(10)と、前記センサチップ(1)及び回路チップ(10)間に、前記センシング部(5)を収納した状態の気密空間(13)を形成するように介在された枠状の封止体(12)とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 21/60 311 Q
, H01L 25/08 B
