特許

J-GLOBAL ID：200903051416580056

電界効果トランジスタスイッチ装置

発明者： 藤原 正人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180130
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038303
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 FET ON時に並列共振用分布定数線路の影響による特性の劣化を防止し、損失、反射特性の良好なFETスイッチ装置を得る。【構成】 直列装荷型FETの出力側にショートスタブあるいはオープンスタブを接続した。【効果】 FET OFF時の特性を劣化させることなく、FET ON時における並列共振分布定数線路の影響を低減し、良好な損失、反射特性を得ることができる。

請求項（抜粋）：

入力端子と第1の出力端子との間に接続された第1の電界効果トランジスタ(以下FET)と、角度が所望周波数に対して略90 ゚の分布定数線路を介して前記入力端子と接続された第2出力端子とグランドとの間に接続された第2のFETと、前記第1のFET及び第2のFETにそれぞれ並列接続された並列共振用分布定数線路と、前記第1のFETと第1の出力端子との間に接続されたショートスタブと、前記第1のFETのゲート電極と前記第2のFETのゲート電極とに共通のバイアス電圧を加えるバイアス端子と、を備えた電界効果トランジスタスイッチ装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• FETスイツチ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-070064   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-046009