特許

J-GLOBAL ID：200903051426297239

強誘電体メモリ

発明者： 菅原 喜和
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-282939
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124378
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構成で多値記憶可能な強誘電体メモリを実現する。【構成】 ゲート絶縁膜に強誘電体膜を用いた電界効果トランジスタ(FEMFET)で各メモリセルを構成し、強誘電体膜の分極状態が変わることによる各メモリセルのしきい値電圧の変化を利用して、分極状態“A”、“C”、“B”にデータ“1”、“0”、“-1”を夫々対応させて1メモリセルに3値の記憶を行う。【効果】 各メモリセルが1トランジスタで構成されるので、高集積化が図れる。

請求項（抜粋）：

強誘電体膜を含んだゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタからなるメモリセルと、上記電界効果トランジスタのゲート電極と基板部との間に第1の電圧、上記第1の電圧とは逆極性の第2の電圧及び上記強誘電体膜を飽和分極状態にしない範囲で上記第1の電圧とは大きさの異なる第3の電圧を夫々印加する電圧印加手段と、上記強誘電体膜の分極状態の違いを上記電界効果トランジスタのしきい値電圧の違いとして検出する検出手段とを備えていることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (6件)：

G11C 11/22 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

G11C 17/00 307 Z ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭51-000274
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344923   出願人：シャープ株式会社