特許
J-GLOBAL ID：200903051475318802
テフロン薄膜作製方法及び薄膜作製装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059765
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：
【要約】【課題】 大面積の表面上に平坦性もしくは結晶化度を制御しつつテフロン薄膜を成長させることのできる薄膜作製方法を提供する。【解決手段】 テフロンターゲットに対向して薄膜形成用下地部材を配置する工程と、前記テフロンターゲットを加熱する工程と、加熱された前記テフロンターゲットに、少なくとも波長160nmの紫外光を含むシンクロトロン放射光を照射してテフロンのアブレーションを生じさせる工程とを含む。
請求項（抜粋）：
テフロンターゲットに対向して薄膜形成用下地部材を配置する工程と、前記テフロンターゲットを加熱する工程と、加熱された前記テフロンターゲットに、少なくとも波長160nmの紫外光を含むシンクロトロン放射光を照射してテフロンのアブレーションを生じさせる工程とを含むテフロン薄膜作製方法。
引用特許：
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