特許
J-GLOBAL ID：200903051489033088
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242961
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107110
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【構成】基板上に銅を含むアルミニウム合金膜をスパッタリングにより成膜しフォトリソグラフィー工程により配線幅1μm以下の配線を含むアルミニウム合金配線を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板を350°C以上あるいは100°C以下の温度に設定し、成膜材として銅の含有量が0.5〜1.0重量%のアルミニウム合金を用いてスパッタリングにより成膜する半導体装置の製造方法。【効果】EM耐性やSM耐性に優れるとともに、ピット状の腐食の発生が小さく信頼性の高いAl配線を形成することができ、半導体装置の信頼性の向上や長寿命化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に銅を含むアルミニウム合金膜をスパッタリングにより成膜しフォトリソグラフィー工程により配線幅1μm以下の配線を含むアルミニウム合金配線を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板を350°C以上あるいは100°C以下の温度に設定し、成膜材として銅の含有量が0.5〜1.0重量%のアルミニウム合金を用いてスパッタリングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
