特許

J-GLOBAL ID：200903051502346201

半導体光変調器及び光変調器集積型半導体レーザ

発明者： 和田 浩
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293901
公開番号（公開出願番号）：特開2003-098492
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 EA変調器内部の局所的な温度上昇によって決定され、通常は温度上昇が一番大きい入射端面(光信号入射端面)近傍での温度が、光入射端面を構成する結晶が、溶融する限界の温度になる動作点で決定される。従って、EA変調器内部の温度上昇が不均一であると、より低い光入力レベルで最大絶対定格に達してしまうという課題がある【解決手段】 上記課題を解決するため、半導体基板上に形成された下部クラッド層と、下部クラッド層上に形成された光を吸収する光吸収層と、光吸収層上に形成された上部クラッド層を有し、上部クラッド層上の第1の主表面に形成された第1の電極と、半導体基板側の第2の主表面に形成された第2の電極と、からなる半導体電界吸収型光変調器において、第1の電極が、光変調器の光入射側端面から入射した光の進行方向に沿って、お互いに分離され、電圧を印可する複数の電極であるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成された光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層上に形成された上部クラッド層を有し、前記上部クラッド層上の第1の主表面に形成された第1の電極と、前記半導体基板側の第2の主表面に形成された第2の電極と、からなる半導体電界吸収型光変調器において、前記第1の電極が、前記光変調器の光入射側端面から入射した光の進行方向に沿って、お互いに分離され、電圧を印可する複数の電極であることを特徴とする半導体光変調器。

IPC (2件)：

G02F 1/015 502 ,  H01S 5/026 616

FI (2件)：

G02F 1/015 502 ,  H01S 5/026 616

Fターム (13件)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB04 ,  2H079EB15 ,  2H079HA11 ,  5F073AB21 ,  5F073EA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-055514
  
• 電界効果型光変調器および半導体光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-326685   出願人：沖電気工業株式会社