特許
J-GLOBAL ID：200903065503117347

電界効果型光変調器および半導体光素子の製造方法

発明者：
川西 秀和

川西 秀和 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326685
公開番号（公開出願番号）：特開2001-142037
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 光導波路の温度上昇の抑制により高光入力耐性を実現したEA変調器を提供する。【解決手段】 EA-DFB100は,EA変調器領域102と分離領域104とDFB領域106とを備えている。EA-DFB100には,EA変調器領域102の光導波路120両脇に金属薄膜182が形成されている。金属薄膜182は,光導波路120の光入力端120a付近で局所的に大きな光吸収が生じた場合に当該光入力端120a付近を冷却するとともに,光導波路120全体を冷却する。EA変調器領域102では,かかる金属薄膜182の作用により,光導波路120の温度上昇による破損を防止することができる。
請求項（抜粋）：
電界効果型光変調器であって:光入力端と光出力端とを有する光導波路と,前記光導波路上方に前記光導波路に沿って形成されるストライプ部と外部電源が接続されるパッド部とを有する第1電極と,前記光導波路下方に形成される第2電極と,前記光導波路の側部に前記光導波路に沿って形成され熱伝達を利用して前記光導波路を冷却する放熱体と,を備え;前記第1電極と前記第2電極とを介して前記光導波路に電界を印加することにより,前記光入力端から前記光導波路に入力された光を前記光導波路内で吸収変調し前記光出力端から出力する;ことを特徴とする,電界効果型光変調器。
IPC (2件)：
G02F 1/025 ,  H01S 5/026
FI (2件)：
G02F 1/025 ,  H01S 5/026
Fターム (11件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA07 ,  2H079EB06 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073DA05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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