半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069462
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250656
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】素子分離領域中の所望の位置に中空部を有する半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】浮遊ゲートFGは、半導体基板11上に形成されている。この浮遊ゲートFGに隣接する半導体基板11内に溝16-1が形成されている。この溝16-1内に素子分離領域STIが形成されている。この素子分離領域STIは少なくとも浮遊ゲートFGの側面に対応して中空部AGを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された浮遊ゲートを含む素子と、前記浮遊ゲートに隣接する前記半導体基板内に形成された溝と、前記溝内の少なくとも前記浮遊ゲートの側面に対応して中空部を有する素子分離領域とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/764 , H01L 21/76

FI (4件)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/76 A , H01L21/76 L

Fターム (40件)：

5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA49 , 5F032AA54 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032AC02 , 5F032BA02 , 5F032CA17 , 5F032CA23 , 5F032DA02 , 5F032DA03 , 5F032DA04 , 5F032DA10 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F032DA53 , 5F032DA78 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP76 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F083PR05 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083ZA28 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BH02 , 5F101BH15 , 5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

エアギャップを有するSTI構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-346132 出願人：チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・インコーポレイテッド

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