半導体装置のコンタクトホール形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236748
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107144
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 SOG層からなる層間絶縁膜上に吸湿防止のためのキャッピング層を形成する時、コンタクトホールのプロファイルを改善し得る半導体装置のコンタクトホール形成方法を提供する。【解決手段】 SOG層3の上部にキャッピング層を形成する。前記キャッピング層の上部にフォトレジストパターン5′を形成する。前記フォトレジストパターン5′をマスクとして前記キャッピング層とその下部のSOG層3に対して順に湿式食刻と乾式食刻を行うことによってコンタクトホールを形成する。その後、前記フォトレジストパターンを取り除く。コンタクトホールの縁部から突出した部分はArイオン食刻で取り除く。これによって、スムーズなプロファイルを有するコンタクトホールを形成することができ、この結果、金属層6でコンタクトホールを埋め立てる時に生じるボイドを防止し得る。

請求項（抜粋）：

SOG層を層間絶縁膜として用いる半導体装置において、前記SOG層の上部にキャッピング層を形成する段階と、前記キャッピング層を550°C以上の温度でアニーリングする段階と、前記キャッピング層の上部にフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記キャッピング層とその下部のSOG層に対して湿式食刻及び乾式食刻を順に行うことによってコンタクトホールを形成する段階と、前記フォントレジストパターンを取り除く段階と、前記コンタクトホールの縁部に突出したキャッピング層をArイオン食刻で取り除く段階とを含めてなるSOG層を絶縁膜として具備した半導体装置のコンタクトホール形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 C , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-152651
特開平4-165651
特開平2-244742

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