特許

J-GLOBAL ID：200903051528617041

抵抗体内蔵多層セラミック回路基板

発明者： 松本 譲 ,  井本 晃
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264565
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103170
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】ターミナル効果を抑制でき、焼成後のデラミネーションを防止することができるとともに、抵抗値の調整が容易な抵抗体内蔵多層セラミック回路基板を提供する。【解決手段】積層された複数のセラミックスからなる絶縁層10a〜10eと、該絶縁層10a〜10e間に形成された抵抗体接続用の一対の内部導体13と、該一対の内部導体13に接続されたビアホール導体14と、両端部が前記一対の内部導体13に接続された抵抗体16とを具備してなる抵抗体内蔵多層セラミック回路基板において、一対の内部導体13間に内部導体間絶縁層15が形成されており、かつ、抵抗体16の両端部が一対の内部導体13の積層方向側の面のみに接続されているものである。

請求項（抜粋）：

積層された複数のセラミックスからなる絶縁層と、該絶縁層間に形成された抵抗体接続用の一対の内部導体と、該一対の内部導体にそれぞれ接続されたビアホール導体と、両端部が前記一対の内部導体にそれぞれ接続された抵抗体とを具備してなる抵抗体内蔵多層セラミック回路基板において、前記一対の内部導体間に内部導体間絶縁層が形成されており、かつ、前記抵抗体の両端部が前記一対の内部導体の積層方向側の面のみに接続されていることを特徴とする抵抗体内蔵多層セラミック回路基板。

FI (3件)：

H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• セラミック多層基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-117296   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス, 住友金属工業株式会社
• 特開平3-089590
  
• 特開昭56-146202