特許

J-GLOBAL ID：200903051571406054

半導体デバイス

発明者： 吉田 稔 ,  西久保 靖彦
出願人/特許権者： イノテック株式会社
代理人 (1件)： 嶋 宣之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104205
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297939
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 この発明の課題は、インダクタンスを一体化することによってそれを用いる電子部品を小型化できる半導体デバイスであって、その製造がより単純な半導体デバイスを提供することである。【解決手段】 半導体ウエハチップW1上面に形成した集積回路2と、上記ウエハチップW1に凹部3を形成し、その凹部3の中に少なくとも2層以上積層したインダクタンス4を備える。また、集積回路2に、インダクタンス4を接続し、共振回路を構成した。さらに、凹部3内に積層するインダクタンスを平面コイルとし、巻き方が反対方向の平面コイル7,8を交互に積層するとともに、上下の平面コイルを中心側端部同士、あるいは、外周側端部同士で接続した。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハチップ上面に形成した集積回路と、上記ウエハチップに形成した凹部内に少なくとも2層以上積層したインダクタンスとからなる半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01F 27/00 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01F 17/00 D ,  H01L 27/04 L ,  H01F 15/00 D

Fターム (8件)：

5E070AA05 ,  5E070AB01 ,  5E070CB03 ,  5E070CB13 ,  5F038AZ04 ,  5F038CA16 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭52-085489
  
• 配線構造、インダクタ及びそれらの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072093   出願人：ソニー株式会社