特許

J-GLOBAL ID：200903051574362341

半導体発光素子

発明者： 佐々井 洋一 ,  上山 智 ,  齋藤 徹 ,  辻村 歩 ,  西川 孝司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264284
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112565
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】 ZnSe系2-6族化合物半導体を用いた青緑色半導体レーザにおいて、低電圧駆動の半導体レーザ構造を提供する。【解決手段】 半導体レーザは、n型GaAs基板1上にn型ZnSSeハ ゙ッファ層3、n型ZnMgSSeクラット ゙層4、ZnCdSe活性層6、p型ZnMgSSeクラット ゙層8、p型ZnSSe層9を具備している。p型ZnSSe系半導体9に対して価電子帯のバンドオフセットが0.3eV以下の半導体、例えばp型ZnCdSSe系半導体とp型ZnSe/ZnTe超格子層とp型ZnTeコンタクト層からなる構成により、コンタクト抵抗が小さくなり、低駆動電圧化が再現性よく達成できる。

請求項（抜粋）：

基板上にn型のZnSeもしくはZnSSe化合物半導体と、前記基板にn型のZn1-xMgxS1-ySey系化合物半導体からなるクラッド層と、ZnSSe系光ガイド層とZnCdSe量子井戸層とを有する発光層と、p型のZnMgSSe系半導体からなる第二のクラッド層と、p型ZnSzSe1-z(0≦z≦0.08)半導体層とを有し、前記p型ZnSzSe1-z半導体層上に前記p型ZnSzSe1-z半導体層に対し価電子帯のバンドオフセットが0.3eV以下のp型半導体とp型ZnSe/ZnTe多層膜半導体層とp型ZnTeコンタクト層とを有することを特徴とする半導体発光素子。