特許

J-GLOBAL ID：200903051575352900

レジストパターンの形成方法

発明者： 浦山 和彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270653
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122482
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】レジストパターンの形状を制御し、下地基板を加工した際の加工寸法の変化を抑制して高い精度で微細に制御し得るパターン形成方法を提供する。【構成】下地基板10上にフォトレジスト膜12を塗布する工程と、所望のパターンを有するフォトマスクを介して露光手段によりフォトレジスト膜上に所望のパターン12aを転写する工程と、このパターン転写後のフォトレジスト膜の現像処理を施す工程と、フォトレジスト膜を塗布する前に、放射線の照射により酸もしくは塩基性物質を発生し、この酸もしくは塩基性物質がフォトレジスト膜中のバインダーポリマーの溶解性を触媒作用的に変化させる作用を有する添加剤を有するフォトレジストパターン形状制御膜11を下記地基板上に形成する工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

下地基板上にフォトレジストパターン形状制御膜を形成する工程と、このフォトレジストパターン形状制御膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、所望のパターンを有するフォトマスクを介して露光手段により前記フォトレジスト膜上に所望のパターンを転写する工程と、このパターン転写後のフォトレジスト膜の現像処理を施す工程とを具備し、前記フォトレジストパターン形状制御膜は、放射線の照射により酸もしくは塩基性物質を発生し、この酸もしくは塩基性物質が前記フォトレジスト膜中のバインダーポリマーの溶解性を触媒作用的に変化させる作用を有する添加剤を有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 576 ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-077746
  
• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-267672   出願人：大日本印刷株式会社