特許

J-GLOBAL ID：200903051586834486

SOI基板およびSIMOX法によるSOI基板の製造方法

発明者： 中井 哲弥 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259292
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333829
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 SOI層(単結晶シリコン層)の抵抗率を単結晶シリコン基板のものと同程度にすることができるSOI基板およびSIMOX法によるSOI基板の製造方法を提供する。【構成】 単結晶シリコン基板1に酸素イオン2を注入する。単結晶シリコン基板1の内部に埋込二酸化ケイ素層3を形成する。埋込二酸化ケイ素層3上に残留シリコン層4を形成する。このものに、1時間以内に、HF洗浄を施す。この後、残留シリコン層4上に0.5μmの二酸化ケイ素薄膜5を形成する。この後、1325°Cの高温熱処理によって、単結晶シリコン基板1から埋込SiO2層3以外の析出物を取り除く。そして、残留シリコン層4のシリコン原子が再配列した単結晶シリコン層6を形成する。高温熱処理雰囲気中のB(ボロン)から残留シリコン層4が保護され、単結晶シリコン層6中へのBの拡散が抑制される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板の内部に埋込二酸化ケイ素層が形成され、この単結晶シリコン基板の表面部に単結晶シリコン層が形成されるSIMOX法により製造されたSOI基板において、上記単結晶シリコン層のドーパント濃度が上記単結晶シリコン基板のものと同程度であることを特徴とするSOI基板。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/00 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-067937
  
• 特開昭59-094411
  
• 特開平4-343248
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-170105   出願人：富士通株式会社