特許
J-GLOBAL ID:200903051609011920

チアジアゾール構造含有高分子の製造方法、チアジアゾール構造含有高分子、並びにそれを用いた電荷輸送材料及び有機電子デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-323723
公開番号(公開出願番号):特開2006-131799
出願日: 2004年11月08日
公開日(公表日): 2006年05月25日
要約:
【課題】 バイポーラ型半導体特性を示すチアジアゾール構造含有高分子を、効率的に製造するための方法を提供する。【解決手段】 下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有するチアジアゾール構造含有高分子を製造する際に、少なくとも下記式(2)で表わされる化合物を用いて、金属錯体の存在下で重合させる。(式(2)中、Xは、ハロゲン原子を表わす。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有するチアジアゾール構造含有高分子を製造する方法において、 少なくとも下記式(2)で表わされる化合物を用いて、金属錯体の存在下で重合させる ことを特徴とする、チアジアゾール構造含有高分子の製造方法。
IPC (1件):
C08G 61/12
FI (1件):
C08G61/12
Fターム (7件):
4J032BA02 ,  4J032BA12 ,  4J032BA20 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BC03 ,  4J032CG01
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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