半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191009
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022912
出願日： 1995年07月05日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】突起電極を有する半導体装置(ICチップ)において、突起電極の数が増大しても、突起電極のサイズ及びピッチを大きくすることができるようにする。【構成】素子形成領域2上における保護膜11上には下地金属層13の一部からなる第2接続パッド部13cが形成され、この第2接続パッド部13c上には突起電極14の一部からなる第2電極部14cが形成され、この第2電極部14cを実質的な突起電極として使用する。この場合、第2電極部14cのサイズは接続パッド5のサイズのほぼ4倍となっており、また第2電極部14cは千鳥状に配置されているので、突起電極14の数が増大しても、実質的な突起電極として使用する第2電極部14cのサイズ及びピッチを大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

素子形成領域を含む上面全体に絶縁膜が形成され、前記素子形成領域以外の領域における前記絶縁膜に形成された開口部を介して接続パッドが露出されてなる半導体装置において、前記接続パッド上から前記絶縁膜上にかけて前記接続パッドよりも大きめの接続パッド部を有する下地金属層が形成され、この下地金属層の少なくとも接続パッド部の上面に突起電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 21/92 602 J , H01L 21/92 602 N , H01L 21/92 602 Z

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭51-026469
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-019855 出願人：株式会社東芝
特開平4-278543

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