特許
J-GLOBAL ID：200903051635885849
半導体素子の半田付け方法および該半田付け方法を用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮田 金雄
, 高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-045819
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259747
出願日： 2003年02月24日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】パッケージからリードを導出した複数の半導体素子の所定のリードを共通接続板を貫通させ、該リードの先端を前記共通接続板の半田付け面に半田付けすると共に、前記共通接続板の一端には半田が付着しないようにした半導体素子の半田付け方法において、半田付け作業の生産性向上を図る。【解決手段】リードの先端と、該リードの先端を半田付けする共通接続板の半田付け面とを半田槽内の溶融半田に浸漬させるときに前記共通接続板の一端の非半田付け領域が溶融半田に接しないように前記共通接続板を折り曲げる折り曲げ部を設けた。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
パッケージからリードを導出した複数の半導体素子の所定のリードを共通接続板を貫通させ、該リードの先端を前記共通接続板の半田付け面に半田付けすると共に、前記半田付け面より突出する前記共通接続板の一端には半田が付着しないようにした半導体素子の半田付け方法において、前記半田付け面より前記一端側に延在する前記共通接続板を前記半田付け面より凹むように第1の中間部より折り曲げる第1の折り曲げ工程と、その後、前記一端が前記半田層に非浸漬状態で前記リードの先端と前記半田付け面とを半田層の上層部に浸漬させ半田付けする浸漬半田付け工程と、その後、前記共通接続板の前記第1の中間部より先端側の第2の中間部より、その先端が前記半田付け面より突出するように折り曲げる第2の折り曲げ工程とからなる半導体素子の半田付け方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
4E080AA03
, 4E080AB02
, 4E080EA05
, 5F067AA16
, 5F067AB02
, 5F067DD01
