特許
J-GLOBAL ID:200903051691250961
多層配線基板の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-035681
公開番号(公開出願番号):特開平8-236934
出願日: 1995年02月23日
公開日(公表日): 1996年09月13日
要約:
【要約】【目的】有機高分子材料を層間絶縁膜とした多層配線基板の製造において、配線基板表面の凹凸を低減させた製造方法を提供する。【構成】(a)基板1上に有機高分子材料からなる絶縁膜2を形成した後、1層目の配線を形成する工程と、(b)有機高分子材料からなる層間絶縁膜5を形成し、バイアホール6を形成する工程と、(c)下地導体膜3bを形成した後フォトレジスト層7を形成する工程と、(d)バイアホール6部分を露光し、下地導体膜3bを露出させる工程と、(e)バイアホール6内部をめっき金属で充填する工程と、(f)再度フォトレジスト層7を形成し、露光、現像して配線パターンを形成する工程と、(g)導体4bを形成して2層目の配線を形成する工程と、(h)フォトレジスト7、および導体4bの形成されていない下地導体膜3bを除去する工程とからなる。
請求項(抜粋):
次の工程よりなる多層配線基板の製造方法。(a)基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上に1層目の配線を形成する工程、(b)1層目の配線を形成した基板上に、有機高分子材料からなる層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜にバイアホールを形成する工程、(c)層間絶縁膜およびバイアホール部分に、下地導体膜を形成した後フォトレジスト層を形成する工程、(d)フォトマスクを用いてフォトレジスト層のバイアホール部分を露光し、バイアホール部分の下地導体膜を露出させる工程、(e)めっきによりバイアホール内部をめっき金属で充填する工程、(f)再度フォトレジスト層を形成し、フォトマスクを用いて該フォトレジスト層を露光、現像して配線パターンを形成する工程、(g)配線パターンに導体を形成して2層目の配線を形成する工程、(h)フォトレジスト、および導体の形成されていない下地導体膜を除去する工程。
FI (3件):
H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 T
引用特許:
前のページに戻る