特許

J-GLOBAL ID：200903051712532431

マイクロレンズパターン用マスク

発明者： イ・ヒョン・ベク
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135802
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074927
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 曲率半径を大きくすることができるとともに、長方形のレンズの場合横方向と縦方向の曲率半径を同一にすることができるマイクロレンズパターン用マスクを提供すること。【解決手段】 本発明のマイクロレンズパターン用マスクは、透明基板上の所定の領域にメイン遮光領域を形成させ、そのメイン遮光層の周囲または周囲の一部に、メイン遮光層から遠くなるほど光の透過度が高くなるように補助遮光領域を形成させた。

請求項（抜粋）：

透明基板と、前記透明基板上の所定の領域に形成されるメイン遮光領域と、前記メイン遮光層の周辺または周辺の一部に、メイン遮光層から遠くなるほど光の透過度が高くなるように形成される補助遮光領域とを有することを特徴とするマイクロレンズパターン用マスク。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  G02B 3/00 ,  G03F 1/00 ,  H01L 31/02

FI (4件)：

H01L 27/14 D ,  G02B 3/00 A ,  G03F 1/00 D ,  H01L 31/02 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-262457
  
• 特開平4-123003
  
• 微細パターンの作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-355901   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平2-213116