半導体熱処理方法およびそれに用いる装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005213
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199436
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】装置が比較的コンパクトとなり、しかもパーティクルによるウエハ汚染が生じない、優れた半導体熱処理方法およびそれに用いる装置を提供する。【解決手段】ウエハ1が装填された反応管20の周囲に、反応管20に対し一定の間隔を保った状態で、上記ウエハ1を加熱するためのヒータ21を設け、上記反応管20とヒータ21の間に、反応管20を覆いうる熱遮断体24を、反応管20の軸方向に移動自在に設け、上記ウエハ1に対し低温加熱を行う場合には、上記熱遮断体24を、反応管20を覆う位置に位置決めして上記ヒータ21から反応管に達する加熱量を低減し、上記ウエハ1に対し高温加熱を行う場合には、上記熱遮断体24を、反応管20と重ならない位置に移動させて上記ヒータ21からの加熱をそのまま反応管20に作用させるようにした。

請求項（抜粋）：

バッチ式熱処理装置を用いてウエハを熱処理する方法であって、上記ウエハが装填された反応管の周囲に、一定の間隔を保った状態で、上記ウエハを加熱するための加熱手段を設け、上記反応管と加熱手段の間に、反応管を覆いうる熱遮断体を、反応管の軸方向に移動自在に設け、上記ウエハに対し低温加熱を行う場合には、上記熱遮断体を、反応管を覆う位置に位置決めして上記加熱手段から反応管に達する加熱量を低減し、上記ウエハに対し高温加熱を行う場合には、上記熱遮断体を、反応管と重ならない位置に移動させて上記加熱手段からの加熱をそのまま反応管に作用させるようにしたことを特徴とする半導体熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/22 511 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 E , H01L 21/324 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

基板熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042235 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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