特許
J-GLOBAL ID：200903051738408763

半導体ウエーハの加工方法

発明者：
大庭 龍吾

大庭 龍吾 について

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星野 仁志

星野 仁志 について

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増田 幸容

増田 幸容 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012140
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209719
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜との積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、積層体を剥離することなく個々の半導体チップに分割することができる半導体ウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】切削ブレードの幅より広くストリートの幅を越えない範囲でパルスレーザー光線を照射し半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、このレーザー加工溝に沿って切削ブレードにより半導体基板を切削する切削工程とを含み、パルスレーザー光線のスポットの形状をマスク部材によって矩形に整形し、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をY(Hz)、加工送り速度(ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度)をV(mm/秒)、パルスレーザー光線のスポットの加工送り方向の長さをLとした場合に、L>(V/Y)を満たす加工条件に設定されている。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、該ストリートに沿って切削ブレードにより切削して個々の半導体チップに分割する半導体ウエーハの加工方法であって、 該半導体ウエーハの該ストリートに該切削ブレードの幅より広く該ストリートの幅を越えない範囲でパルスレーザー光線を照射し該半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、 該半導体ウエーハの該ストリートに形成された該レーザー加工溝に沿って該切削ブレードにより該半導体基板を切削する切削工程と、を含み、 該レーザー加工溝形成工程は、該ストリートに照射されるパルスレーザー光線のスポットの形状をマスク部材によって矩形に整形し、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をY(Hz)、加工送り速度(ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度)をV(mm/秒)、パルスレーザー光線のスポットの加工送り方向の長さをLとした場合に、L>(V/Y)を満たす加工条件に設定されている、 ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。
IPC (2件)：
H01L21/301 ,  B23K26/00
FI (3件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/00 D ,  H01L21/78 F
Fターム (8件)：
4E068AD01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA09 ,  4E068CA15 ,  4E068CD05 ,  4E068CD10 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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