特許
J-GLOBAL ID：200903051747815070

プラズマ処理装置

発明者：
松浦 清志

松浦 清志 について


出願人/特許権者：
日電アネルバ株式会社

日電アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071132
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260451
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 減圧されたチャンバ内に平行平板電極を有するプラズマ処理装置装置において、プラズマを電極間に集中させることおよびプロセス圧力を低圧力にすることを同時に実現する。【構成】 高周波電源が接続された第1電極と、第2電極を有し、第1電極と第2電極の間に処理ガスを導入しかつ高周波電力を供給し、処理ガスを高周波電力でプラズマ化し、ウェハーをプラズマで処理する構成を有し、第1電極の外周囲にリング部を含む第1絶縁体を設け、第2電極の外周囲にリング部を含む第2絶縁体を設け、第1および第2の絶縁体は互いに対向する箇所を有し、これらの対向箇所のそれぞれにリング状絶縁体カバーを備え、第1絶縁体のリング部の外径と内径との差の1/2の絶対値をD(mm)、供給される高周波電力をP(W)、絶縁体カバー間の間隔をd(mm)とするとき、関係式D>0.057 P+8.6 d-53が満足されるようにD,P,dを定めるように構成する。
請求項（抜粋）：
高周波電源が接続された第1電極と、第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極を対向して配置し、前記第1電極と前記第2電極の間に処理ガスを導入する共に高周波電力を供給し、前記処理ガスを前記高周波電力でプラズマ化し、前記いずれかの電極上に配置されたウェハーをプラズマで処理する装置において、前記第1電極の外周囲にリング部を含む第1絶縁体を設け、前記第2電極の外周囲にリング部を含む第2絶縁体を設け、前記第1絶縁体と前記第2絶縁体は対向する箇所を有し、これらの箇所のそれぞれに絶縁体カバーを備えると共に、前記第1絶縁体の前記リング部の外径と内径の差の1/2の絶対値をD(mm)、供給される高周波電力をP(W)、前記絶縁体カバー間の間隔をd(mm)とするとき、関係式D>0.057 P+8.6 d-53を満足するように前記のD,P,dの各値を定めることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00
引用特許：
審査官引用 (3件)

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