特許

J-GLOBAL ID：200903051750757730

基板の処理方法および半導体装置の製造方法

発明者： 久米 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-016965
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222789
出願日： 2001年01月25日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 レジスト変質層の除去に対してエッチング作用を促すイオンを溶液中に混入させた薬液を使用する際において、エッチング促進作用を制御する。【解決手段】 エッチング作用を促すイオンをその解離を抑制した状態で含む処理薬液を基板の表面に滴下し、その後に、基板の回転を制御して基板表面に残留する薬液量を調整し、それにより水洗時のイオン解離量を制御して、エッチング促進作用を調整する。

請求項（抜粋）：

エッチング作用を促すイオンをその解離を抑制した状態で含む処理薬液を実質的に水平に保持した基板の表面に滴下し、前記基板を所定の第一の回転数で所定時間にわたり回転させて前記基板の表面を前記薬液で濡らす工程と、前記基板を前記第一の回転数より大きい第二の回転数で所定時間にわたり回転させ前記基板の表面から前記薬液の微量を残してその余を除去する工程と、前記微量の薬液が残された前記基板の表面を水洗し、前記薬液に含まれるイオンを解離させて前記基板に作用させる工程とを含む基板の処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 643 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L 21/304 648 H ,  H01L 21/304 643 A ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 D

Fターム (15件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  5F004AA14 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA10 ,  5F043AA40 ,  5F043CC16 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10 ,  5F046MA02 ,  5F046MA06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薬液処理方法および薬液処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-067433   出願人：日本電気株式会社