特許
J-GLOBAL ID:200903051770307545

半導体製造装置用ガスラインシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-304840
公開番号(公開出願番号):特開2002-110570
出願日: 2000年10月04日
公開日(公表日): 2002年04月12日
要約:
【要約】【課題】低コスト及び小フットプリントを実現するガスラインシステムを与える。【解決手段】少なくとも2台のリアクタを有する半導体製造装置に使用するガスラインシステムは、少なくとも一つのガスソースと、ガスソースからのソースガスを受け取る一次側の入力ポートと、入力されたソースガスを等分配して出力する二次側の出力ポートとから成る分流器手段であって、一次側の入力ポートはガスソースに接続され、二次側の出力ポートはリアクタに接続される分流器手段と、リアクタに接続されリアクタ内のガスを排気するための一つの排気ポンプと、から成る。好適には、当該システムはさらにリアクタと排気ポンプとの間にあって、リアクタ毎に圧力制御を行うためのAPCを含むことが望ましい。
請求項(抜粋):
少なくとも2台のリアクタを有する半導体製造装置に使用するガスラインシステムであって、少なくとも一つのガスソースと、前記ガスソースからのソースガスを受け取る一次側の入力ポートと、入力されたソースガスを等分配して出力する二次側の出力ポートとから成る分流器手段であって、前記一次側の入力ポートは前記ガスソースに接続され、前記二次側の出力ポートは前記リアクタのそれぞれに接続される分流器手段と、前記リアクタに接続されリアクタ内のガスを排気するための一つの排気ポンプと、から成るシステム。
IPC (2件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
Fターム (19件):
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030HA01 ,  4K030HA15 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045DQ14 ,  5F045EC07 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EG01 ,  5F045EN04 ,  5F045GB15
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 気相成長装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-326855   出願人:古河電気工業株式会社
  • 特開昭62-105997
  • 特開平4-100222
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