特許

J-GLOBAL ID：200903051775682859

炭素材料の製造方法、および該炭素材料を含む電気二重層キャパシタ

発明者： 田門 肇 ,  乾 直樹 ,  菊池 武利
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学 ,  住友化学株式会社
代理人 (1件)： 中山 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-209005
公開番号（公開出願番号）：特開2009-040646
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】バインダーなしで成型可能な炭素材料であって、単位体積あたりの静電容量に優れる負極に与える炭素材料を製造する方法を提供する。【解決手段】下記[1]〜[5]工程を含む炭素材料の製造方法である。[1]フェノール化合物、アルデヒド化合物及び塩基性触媒を含む水溶液を反応させて湿潤ゲルを作製する工程。[2][1]で得られた湿潤ゲルを脱水して、乾燥ゲルを作製する工程。[3][2]で得られた乾燥ゲルに、フェノール化合物、アルデヒド化合物及び塩基性触媒を含む水溶液を含浸、反応させて、再湿潤ゲルを作製する工程。[4][3]で得られた再湿潤ゲルを脱水して、再乾燥ゲルを作製する工程。[5][4]で得られた再乾燥ゲルを焼成して炭素材料を作製する工程。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

下記[1]〜[5]工程を含む炭素材料の製造方法。 [1]フェノール化合物、アルデヒド化合物及び塩基性触媒を含む水溶液を反応させて湿潤ゲルを作製する工程。 [2][1]で得られた湿潤ゲルを脱水して、乾燥ゲルを作製する工程。 [3][2]で得られた乾燥ゲルに、フェノール化合物、アルデヒド化合物及び塩基性触媒を含む水溶液を含浸、反応させて、再湿潤ゲルを作製する工程。 [4][3]で得られた再湿潤ゲルを脱水して、再乾燥ゲルを作製する工程。 [5][4]で得られた再乾燥ゲルを焼成して炭素材料を作製する工程。

IPC (2件)：

C01B 31/02 ,  H01G 9/058

FI (2件)：

C01B31/02 101Z ,  H01G9/00 301A

Fターム (40件)：

4G146AA01 ,  4G146AA06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AC04B ,  4G146AC06B ,  4G146AC07B ,  4G146AC08B ,  4G146AC09B ,  4G146AC20B ,  4G146AC22B ,  4G146AD23 ,  4G146AD25 ,  4G146BA11 ,  4G146BA18 ,  4G146BB04 ,  4G146BB07 ,  4G146BB11 ,  4G146BB22 ,  4G146BC03 ,  4G146BC07 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  5E078AA01 ,  5E078AA02 ,  5E078AA05 ,  5E078AA15 ,  5E078AB02 ,  5E078BA13 ,  5E078BA14 ,  5E078BA19 ,  5E078BA65 ,  5E078BA67 ,  5E078BA68 ,  5E078BA70 ,  5E078BB12 ,  5E078ZA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• カーボン材料の製造方法及びタブレット状乾燥ゲル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-345721   出願人：田門肇, 向井紳, 住友化学株式会社

審査官引用 (1件)

• カーボン材料の製造方法及びタブレット状乾燥ゲル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-345721   出願人：田門肇, 向井紳, 住友化学株式会社