特許
J-GLOBAL ID：200903051785516922
液晶パネル用基板およびその製造方法並びに投射型表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204006
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048667
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 TFTを用いたアクティブマトリックスLCDにおいては、配向不良を防止しまた反射型では反射効率を高める上で画素電極ができるだけ広い範囲にわたって平坦であることが望まれる。ところが、従来のアクティブマトリックスLCDは、TFTが形成される部分だけ盛り上がった断面構造を有しているため、画素電極やその上に形成される配向膜の表面の一部が傾斜し、斜面に相当する部分で配向不良が生じたり、透過率や反射率が低下するという問題点があった。【解決手段】 TFTおよびITOからなる第1の画素電極(11)を形成した後、その上にスピンコート等により平坦な絶縁膜(13)を形成して上記第1画素電極の一部にコンタクトホール(10)を開けてから上記絶縁膜(13)の表面に上記第1画素電極と同一パターンの第2の画素電極(12)を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に画素電極がマトリックス状に形成されるとともに各画素電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記画素電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板の製造方法において、上記トランジスタおよび該トランジスタに接続された第1の画素電極を形成した後、その上に絶縁膜を形成して上記第1画素電極の一部に対応して上記絶縁膜にコンタクトホールを開けてから、上記絶縁膜の表面に上記第1画素電極に接続された第2画素電極を形成するようにしたことを特徴とする液晶パネル用基板の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
